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盡管氮化鎵（GaN）在性能參數(shù)上對(duì)硅展現(xiàn)出碾壓之勢，但它在通往半導(dǎo)體王座的道路上，依然布滿了荊棘與挑戰(zhàn)。這些技術(shù)鴻溝，是阻礙GaN全面取代硅、尤其是在數(shù)據(jù)處理核心領(lǐng)域應(yīng)用的主要原因。

最大的障礙來自于其固有的“常開”特性。大多數(shù)天然形成的GaN晶體管屬于“耗盡型”（depletion-type），這意味著即使在柵極沒有施加電壓的情況下，晶體管也是導(dǎo)通的。這對(duì)于需要精確控制開關(guān)狀態(tài)的電源和邏輯電路來說，是一個(gè)致命缺陷，因?yàn)樗黾恿讼到y(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和安全風(fēng)險(xiǎn)。為了解決這個(gè)問題，研究人員開發(fā)了多種技術(shù)來制造“增強(qiáng)型”（enhancement-type）的常閉GaN器件，例如在柵極下方引入氟離子、采用MIS結(jié)構(gòu)，或者將GaN與傳統(tǒng)硅MOSFET級(jí)聯(lián)（Cascode）。然而，這些方法都增加了額外的制造步驟，使得工藝變得復(fù)雜且成本高昂，同時(shí)也影響了器件的微縮潛力。

其次，微型化難題限制了其在處理器領(lǐng)域的應(yīng)用?，F(xiàn)代CPU和微控制器之所以能集成數(shù)十億個(gè)晶體管，得益于硅CMOS工藝在納米尺度上的極致微縮能力。目前，GaN晶體管的制造工藝還遠(yuǎn)未達(dá)到同等的成熟度，難以實(shí)現(xiàn)與硅相當(dāng)?shù)募擅芏?。其結(jié)構(gòu)上的復(fù)雜性（如需要額外的AlGaN層）使得按比例縮小變得異常困難。只要這個(gè)問題不解決，GaN就無法進(jìn)入對(duì)晶體管密度要求極高的CPU、GPU等數(shù)據(jù)處理芯片市場，只能在功率和射頻等分立器件領(lǐng)域大展拳腳。

最后，專利壁壘和產(chǎn)業(yè)鏈成熟度也是不容忽視的因素。例如，文章中提到的松下（Panasonic）公司，通過其專利的X-GaN技術(shù)，在增強(qiáng)型GaN器件領(lǐng)域占據(jù)了先發(fā)優(yōu)勢。這意味著其他公司若想涉足，要么需要支付高昂的專利費(fèi)，要么必須另辟蹊徑，這無疑減緩了技術(shù)的普及速度。與此相比，硅擁有一個(gè)全球化、標(biāo)準(zhǔn)化的龐大產(chǎn)業(yè)鏈，從設(shè)計(jì)到制造再到封裝，每個(gè)環(huán)節(jié)都極為成熟，成本效益極高。GaN要想建立起同樣完善的生態(tài)，還需要漫長的時(shí)間和巨大的投入。