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臺(tái)積電在3納米制程技術(shù)方面的領(lǐng)先地位愈發(fā)顯著，已成為當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)的焦點(diǎn)。隨著市場(chǎng)需求的激增，臺(tái)積電的3納米鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）制程不僅吸引了眾多大客戶的青睞，還引發(fā)了一場(chǎng)前所未有的漲價(jià)潮。業(yè)內(nèi)人士透露，由于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星在其3納米GAA技術(shù)上面臨良率不佳的挑戰(zhàn)，臺(tái)積電的技術(shù)優(yōu)勢(shì)愈加明顯，進(jìn)一步鞏固了其市場(chǎng)主導(dǎo)地位。

蘋(píng)果、高通、NVIDIA和AMD等四大科技巨頭紛紛選擇與臺(tái)積電合作，爭(zhēng)奪3納米制程的產(chǎn)能。這些公司對(duì)臺(tái)積電3納米家族制程的需求極為旺盛，導(dǎo)致客戶排隊(duì)現(xiàn)象愈演愈烈，訂單已經(jīng)排到了2026年。這種供不應(yīng)求的局面使得上游的集成電路設(shè)計(jì)公司開(kāi)始傳出漲價(jià)的消息，反映出市場(chǎng)對(duì)高端制程的強(qiáng)烈需求。

以高通的驍龍8 Gen 4為例，該產(chǎn)品采用了臺(tái)積電的N3E制程，傳聞已率先開(kāi)始調(diào)高價(jià)格。盡管漲價(jià)的消息引發(fā)了市場(chǎng)的廣泛關(guān)注，但業(yè)內(nèi)專(zhuān)家指出，這一漲幅是合理的。與5納米制程相比，3納米制程每片晶圓的成本大約增加了25%。這一漲幅尚未考慮整體投片數(shù)量、設(shè)計(jì)架構(gòu)等多種因素，因此在當(dāng)前市場(chǎng)環(huán)境下，漲價(jià)似乎是不可避免的趨勢(shì)。

臺(tái)積電在3納米制程的成功不僅提升了自身的市場(chǎng)地位，也推動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的價(jià)格調(diào)整，預(yù)示著未來(lái)技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的加劇和市場(chǎng)格局的變化。