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國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和三星的技術(shù)差距是幾年?

作者:admin   發(fā)布時(shí)間:2024-02-23 09:13:18   點(diǎn)擊量:

國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和三星的技術(shù)差距大約是5年。

內(nèi)存芯片

 

具體來(lái)說(shuō),三星和SK海力士計(jì)劃在年底前投產(chǎn)第五代10nm級(jí)(1b或者說(shuō)12nm)內(nèi)存芯片,而國(guó)產(chǎn)DRAM代表企業(yè)合肥長(zhǎng)鑫今年的打算是第二代10nm(1y或者說(shuō)16/17nm)。

 

一般而言,DRAM每一代的演進(jìn)時(shí)間是2年到2年半。按照正常節(jié)奏,國(guó)產(chǎn)內(nèi)存芯片有機(jī)會(huì)進(jìn)一步縮短與三星的技術(shù)差距。然而,目前一個(gè)比較棘手的問(wèn)題是,三星和SK海力士已經(jīng)引入了EUV(極紫外光刻)設(shè)備用于生產(chǎn)更先進(jìn)的DRAM芯片,而國(guó)產(chǎn)企業(yè)暫時(shí)還無(wú)法獲取這一設(shè)備。


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